Implementasi Jaringan Syaraf Tiruan - Backpropagation dalam Pengenalan Flashover Isolator 150 kV

Studi Kasus : Payakumbuh – Koto Panjang

Penulis

  • M. Farhan Kamil Institut Teknologi Padang
  • Sitti Amalia Institut Teknologi Padang
  • Yusreni Warmi Institut Teknologi Padang
  • Andi Syofian Institut Teknologi Padang
  • Erhaneli Institut Teknologi Padang

DOI:

https://doi.org/10.33019/electron.v4i2.59

Kata Kunci:

Isolator, Flashover, Jaringan Syaraf Tiruan

Abstrak

Saluran transmisi 150 kV Koto Panjang - Payakumbuh di Sumatera Barat, digunakan untuk sistem distribusi tenaga listrik. Saluran transmisi 150 kV Koto Panjang - Payakumbuh ini merupakan saluran transmisi dengan total panjang 86 km. Faktor lingkungan sangat berpengaruh terhadap pembentukan lapisan kontaminan pada permukaan isolator, hal tersebut merupakan salah satu penyebab terjadinya flashover pada isolator. Penelitian ini dilakukan dengan menggunakan metode jaringan syaraf tiruan – backpropagation dalam pengenalan flashover isolator 150 kV terhadap suhu dan kelembaban yang terkontaminasi lumut dan berdebu. Sehingga hasil flashover yang diperoleh menggunakan jaringan syaraf tiruan - backpropagation dibandingkan dengan flashover eksperimen. Oleh sebab itu Implementasi jaringan syaraf tiruan – backpropagation untuk pengenalan flashover isolator 150 kV payakumbuh – Koto Panjang berhasil diterapkan dengan capaian nilai flashover dengan outputnya mendapatkan selisih yang kecil sehingga error yang diperoleh oleh pelatihan dan pengujian jaringan syaraf tiruan juga kecil. Artinya tegangan flashover tersebut dapat dikenali oleh pengujian jaringan syaraf tiruan. Dengan nilai parameter diukur dari jumlah epoch, performance dan gradien dengan hasil terbaik.

Unduhan

Diterbitkan

2023-11-30

Cara Mengutip

Kamil, M. F., Amalia, S., Warmi, Y., Syofian, A., & Erhaneli. (2023). Implementasi Jaringan Syaraf Tiruan - Backpropagation dalam Pengenalan Flashover Isolator 150 kV: Studi Kasus : Payakumbuh – Koto Panjang. ELECTRON Jurnal Ilmiah Teknik Elektro, 4(2), 120–126. https://doi.org/10.33019/electron.v4i2.59